Simone磁随机存储器
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磁随机存储器（magnetic random access memory，简称MRAM）是一种利用磁电阻效应存储数据的非易失性存储器，通过磁隧道结（MTJ）的磁化方向差异记录二进制数据。该技术于1995年实现室温隧穿磁阻效应突破，2007年IBM与TDK合作开发出自旋转移矩（STT）写入技术，第二代STT-MRAM采用自旋极化电流实现电学写入 。
MRAM具有高速读写（2.3纳秒）、无限次擦写、低功耗（比DRAM低50%-80%）特性，支持垂直磁各向异性结构提升存储密度 。台积电开发22nm制程STT-MRAM和SOT-MRAM技术，三星推出14nm节点存内计算芯片，恩智浦计划2025年量产16nm车用嵌入式MRAM样品 。其核心元件为三明治结构磁性隧道结，采用隧穿磁阻效应实现数据存取，现应用于人工智能存算一体架构、航天电子设备和汽车OTA系统 。
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