Simone欧姆接触工艺
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欧姆接触工艺是形成金属与半导体间纯电阻特性接触界面的关键技术，接触电阻直接影响器件性能。该工艺通过离子注入、外延生长等方式实现掺杂，接触区通常包含金属层、界面层及半导体结，附加电阻需通过精确模型测定。20世纪50-60年代，SiC材料欧姆接触研究启动，同期硅基工艺在晶体管领域广泛应用 。
离子注入技术因掺杂精度高适应器件小型化，但存在晶格损伤问题；外延技术通过衬底生长单晶层减少损伤 。近年我国学者采用轨道杂化增强策略，使二维半导体MoS2接触电阻降至42Ω·μm，突破传统硅基器件的100Ω·μm水平 。北京大学团队提出钇掺杂相变理论，实现单原子层掺杂深度0.5纳米，接触电阻达69±13Ω·μm 。南方科技大学开发TixAly合金接触层，使AlGaN/GaN接触电阻降至0.063Ω∙mm，满足射频器件需求 。白光快速烧结法可将比接触电阻优化至10(-6)Ω·cm²，应用于GaAs异质结器件制造 。
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